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铟镓砷(InGaAs)/ 砷化铟(InAs)光电二极管
波长范围:
InGaAs:500 nm – 1700 nm
x-InGaAs:500 nm – 2600 nm
InAs: :900 nm – 3500 nm
产品特点:
1.       响应时间快
2.       量子效率高
3.       暗电流,噪声低
产品基本参数:
 
铟镓砷(InGaAs)/ 砷化铟(InAs)光电二极管 产品技术资料

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